सीमॉस प्रक्रिया विशेषता


आधारिक तकनीकी विशेषता   एनालॉग प्रक्रिया मॉड्यूल्स
1.8v कोर सीमॉस   उच्च –वोल्ट (लॉ लीकेज करंट ͂ वन ऑर्डर कम)
1.8v अथवा 3.3v आई/ओ   धातु रोधी धातु कैपेसिटर : एकल एमआईएम (1 व 2fF/µm2) एवं स्टैक्ड एमआईएम (2x)
एकल पॉली एवं यूएसजी-बीईओएल सहित 6 धातु परतों तक   डीप एन-वेल (अवस्तर आवाज पृथक्करण के लिए पृथक्कृत पी-वेल्स)
23-34 23-34 मास्क परतें (धातु परतों एवं एनालॉग मॉड्यूल्स पर आधारित)   उच्च प्रतिरोध पॉली सिलिकॉन प्रतिरोधक: एचआईपीओ (1kΩ/sq; 2kΩ/sq) High resistance poly silicon resistor: HIPO (1kΩ/sq; 2kΩ/sq)
  स्थूल अंतिम धातु (2µm) Thick Last metal (2µm)
  5 वाट-मॉसफेट (Gox: 110A)
         
मुख्य प्रक्रिया विशेषताएं

 

 

 

 

 

 

 


                                

8” पी-प्रकार की सिलिकॉन(1-2 Ω-cm)
सतही ट्रेंच पृथक्करण (एसटीआई)
वक्री वेल्स
ड्यूअल गेट ऑक्साइड (नाइट्राइडेड गेट ऑक्साइड:
30A:1.8V एवं 70A:3.3V/110A:5V)
ड्यूअल गेट पॉली (पीमॉस हेतु p+ डॉप्ड एवं एनमॉस हेतु n+ डॉप्ड )
सेलीसाइड (एस/डी एवं गेट पॉली हेतु कॉबाल्ट सिलिसाइड)
टंगस्टन (डब्लू) फिल कॉन्टेक्ट्स/व्यास
Ti/TiN/AlCu/Ti/TiN धातु परस्पर संबंधित होती है।
उच्च सघनता प्लाज्मा ऑक्साइड, आंतरिक धातु डाइलेक्ट्रिक (आईएमडी) के रूप में यूएसजी (k=4.2), एसटीआई के लिए सीएमपी, आईएलडी/आईएमडी, टंगस्टन कॉन्टेक्ट्स/व्यास
CMP (for STI, ILD/IMD, Tungsten Contacts/Vias
जटिल एवं स्थूल परतों के लिए नियम आधारित ओपीसी एवं एमयूवी (365nm) लिथोमुद्रण सहित डीयूवी (248nm)