VLSI Design

एससीएल में वीएलएसआई डिजाइन गतिविधियाँ एनालॉग, मिश्रित सिग्नल, डिजिटल, पावर, मेमोरी, आर एफ सीमॉस और ऑप्टो-इलेक्ट्रॉनिक के क्षेत्र में फैली हुई है। एसिक/एएसएसपी/एसओसी/टेस्ट चिप के रूप में विभिन्न डिजाइनों को संविरचित (फैब्रिकेटेड), परीक्षित (टेस्ट), गुणता और आश्वासन के बाद अंतिम उपयोगकर्ताओं को वितरित किया गया है। इसके अलावा, संभावित भावी अनुप्रयोगों के लिए उत्पादों के विकास/वृद्धि के लिए स्व-निर्मित डिजाइन गतिविधियों को आगे बढ़ाया जाता है। ये डिजाइन सिलिकॉन सिद्ध, अंतरिक्ष श्रेणी और उच्च विश्वसनीयता के स्तर के है। इनको उत्पाद अनुभाग में सूचीबद्ध किया गया है।

मुख्य डिजाइन क्षेत्र
  • विद्युत प्रबंधन
  • डेटा संचार
  • डेटा कन्वर्टर
  • सेंसर सिग्नल कंडीशनिंग
  • लॉजिक डिजाइन
  • मेमोरी
  • आर एफ सीमॉस
  • ऑप्टो-इलेक्ट्रॉनिक्स – आरओआईसी
  • विकिरण प्रतिरोधी डिजाइन
  • एसओसी
डिजाइन कार्यान्वयन गतिविधियां
  • संभाव्यता विश्लेषण
  • आर्किटेक्चर को परिभाषित करना
  • एचडीएल कोडिंग / स्कंमेटिक प्रविष्टि / नेटलिस्ट प्रविष्टि
  • विद्युत (सत्यापन / अनुरूपण)
  • संश्लेषण
  • डीएफटी और एटीपीजी
  • फ्लोर प्लान / प्लेसमेंट / सीटीएस / रूटिंग
  • पूर्ण कस्टम लेआउट
  • प्रत्यक्ष पराश्रयी निष्कर्षण (पेक्स)
  • प्रत्यक्ष एसटीए/पोस्ट लेआउट सिमुलेशन
  • प्रत्यक्ष एसटीए/पोस्ट लेआउट सिमुलेशन
  • इलेक्ट्रोमैग्नेटिक (ई एम) सिमुलेशन
  • इलेक्ट्रोमाइग्रेशन और आईआर ड्रॉप विश्लेषण
  • चिप फिनिशिंग और जीडीएसआईआई रिलीज
  • डिजाइन ओटोमेशन
  • डिजाइन प्रवाह संस्थापन
  • पी डी के समर्थन और वितरण
  • मानक सेल लाइब्रेरी
मेमोरी कट्स एवं सेल लाइब्रेरी
प्रकार विवरण
मानक सेल 1.8V- मानक सेल लाइब्रेरी (540 सेल; 10 ट्रैक)
मानक सेल (आरएचबीडी) (आरएचबीडी)1.8V- मानक सेल लाइब्रेरी (56 सेल; 30 ट्रैक)
मेमोरी कट 4 धातु 17 कट, 6 धातु 20 कट; डीपी-एसआरएएम : 4 धातु 20 कट, 6 धातु 20 कट
आई/ओ सेल 1.8V कोर / 1.8V I / o ; 3.3V कोर / 3.3V I / o ; 5.0V कोर / 5.0V I / o ; 1.8V कोर / 3.3V I / o ; 1.8V कोर / 5.0V I / o
सिलिकॉन आधारित आईपी की सूची
  • रेडिएशन हार्ड़ेन (आरएच) : स्टैण्डर्ड लाइब्रेरी (56 सेल)
  • स्टैण्डर्ड एसपीआरएएम कट (4एलएम) (17 कट)
  • स्टैण्डर्ड एसपीआरएएम कट (6एलएम) (20कट)
  • स्टैण्डर्ड डीपीआरएएम कट (4एलएम) (20कट)
  • स्टैण्डर्ड डीपीआरएएम कट (6एलएम) (20 कट)
  • एलवीडीएस रिसीवरः 400 Mbps
  • एलवीडीएस ट्रांसमीटरः 400 Mbps
  • एलडीओ1 : 1.8 V /12 mA
  • एलडीओ2 : 1.8 V /150 mA
  • एलडीओ3 : 1.8 V /150 mA
  • वोल्टेज रेफरेंस 1 : 1.25 V
  • वोल्टेज रेफरेंस 2 :1.2 V
  • सीमॉस तापमान संवेदक 1 : 4mV/°C
  • सीमॉस तापमान संवेदक 2 : 11mV/°C
  • तापमान प्रतिपूरित दोलित्र: 128 kHz
  • करंट फीडबैक इंस्ट्रूमेन्टेशन एम्पलीफायर (सीएफआईए) :प्रोग्रामेबल गेन अप टू 32 V/V
  • पावर-ऑन-रीसेट (PoR) : 100ms
  • एसपीआई नियंत्रक : 10 Mbps
  • माइक्रोकंट्रोलर: 8 बिट, 8051 कॉम्पेटिबल
  • आरएफ एल बैंड एलएनए : गेन 12dB, नॉइज फिगर 3.4dB, P1dB -0.6dBm
  • पीएलएल : इंटीग्रल क्लॉक जनरेशन अपटू 1.2 GHz

ईडीए सॉफ्टवेयर

  • सिनोपसिस
  • कैडेंस
  • सीमेंस
  • कीसाइट
  • कोजेंड़ा
  • मैथवर्क